E18000 - SEMI E180 - 通过ICP-MS测量半导体晶圆加工过程中关键腔室部件表面金属污染的试验方法 StdPbc-1115 この仕様に従ったガスは，一般に最低許容限度よりも多い主要構成要素を包含しているか，またはSEMI C3「ガス許容限度」の仕様に示されているものよりも少ない不純物を包含している。何れの場合でも，ガスはこの仕様によって定義されたものよりも高品質のものと考えてはならない。

この仕様に従ったガスは，一般に最低許容限度よりも多い主要構成要素を包含しているか，またはSEMI C3「ガス許容限度」の仕様に示されているものよりも少ない不純物を包含している。何れの場合でも，ガスはこの仕様によって定義されたものよりも高品質のものと考えてはならない。

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2  This Guide applies in particular to glass and silicon wafers with a diameter equal to or exceeding 300 mm and their thickness equal to or less than 775 µm ± 20 µm

E18000 - SEMI E180 - 通过ICP-MS测量半导体晶圆加工过程中关键腔室部件表面金属污染的试验方法 StdPbc-1115 この仕様に従ったガスは，一般に最低許容限度よりも多い主要構成要素を包含しているか，またはSEMI C3「ガス許容限度」の仕様に示されているものよりも少ない不純物を包含している。何れの場合でも，ガスはこの仕様によって定義されたものよりも高品質のものと考えてはならない。NOTICE: This translation is a REFERENCE COPY ONLY. If differences should exist between the English version and a translation in any other language, the English version is the official and authoritative version. ICP MSCCCsCCC CCC CCC ICP MSCCCs CCC AlNaKCaLiFeCuNiCrCoTiMgZn