E05410 - SEMI E54.10 - in-situパーティクルモニターデバイスのためのセンサ/アクチュエータネットワーク特定デバイスモデルの仕様 StdTpc-Cluster Tools CMOS集積回路の継続的な縮小により，ムーアの法則による予測や，国際半導体技術ロードマップ（International Technology Roadmap for Semiconductors）の予測を達成するためには，新規材料やリソグラフィ技術の革新が必要な所まできている。ゲート絶縁膜膜厚が1nmに近づくに伴い，一般的に使われてきたゲート絶縁膜とゲート電極の材料（SiO2

CMOS集積回路の継続的な縮小により，ムーアの法則による予測や，国際半導体技術ロードマップ（International Technology Roadmap for Semiconductors）の予測を達成するためには，新規材料やリソグラフィ技術の革新が必要な所まできている。ゲート絶縁膜膜厚が1nmに近づくに伴い，一般的に使われてきたゲート絶縁膜とゲート電極の材料（SiO2　とドープされたポリシリコン）の特性では，今後のノードに対応できない。従来のCMOSに使われているn+ や p+　ポリシリコンゲート電極に替わる材料を探すため，代替材料候補の有効仕事関数を実験により算出することが新たに注目を集めている。

2  This Standard applies to three-port/four-fastener components (except mass flow controllers and mass flow meters)

in-line characterization methods are required that allow discriminately inspecting cracks with high through put and repeatability

本スタンダードは，プロセス装置または測定装置とフロントオープニング・ボックスとのインタフェースについて装置側の要求事項について規定する。

E05410 - SEMI E54.10 - in-situパーティクルモニターデバイスのためのセンサ/アクチュエータネットワーク特定デバイスモデルの仕様 StdTpc-Cluster Tools CMOS集積回路の継続的な縮小により，ムーアの法則による予測や，国際半導体技術ロードマップ（International Technology Roadmap for Semiconductors）の予測を達成するためには，新規材料やリソグラフィ技術の革新が必要な所まできている。ゲート絶縁膜膜厚が1nmに近づくに伴い，一般的に使われてきたゲート絶縁膜とゲート電極の材料（SiO2global Information & Control Technical Committee2011912global Audits and Reviews Subcommittee201111www. semiviews. org www. semi. org20005200611 SEMI E54 : SEMI In Situ Referenced SEMI Standards SEMI E39 Object Services Standard: Concepts, Behavior, and Services SEMI E54 Sensor Actuator Network Standard SEMI E54. 1 Standard for Sensor Actuator Network Common Device Model